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产品特性:
调Q开关厂家告诉您:光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低，其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（100Hz）。
应用范围：
MgO:LN以及LN电光调Q开关应用广泛，常被应用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中，适应于低功率调Q输出，尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。本公司推出LN电光开关和电光调制器可为客户提供最紧凑的小体积设计，可按客户要求改变外壳图纸，便于最终调试和应用。
截面 | zui大 | 20 x 20 mm² |
zui小 | 4 x 1mm2 | |
长度 | zui大 | 60 mm |
zui小 | 5 mm | |
定向 | 10分 | |
平面度 | λ/8 @ 633nm | |
透过畸变 | λ/4 @ 633nm | |
光学平行 | < 20 arc sec. | |
侧垂 | < 5 arc sec. | |
光洁度 | 10-5 膜后20-10 | |
输入/输出端镀膜 | 300-3000nm可订制 | |
质量有效期 | 一年 | |
标准规格 | |||
序列号 | 通光孔径 | 外壳尺寸（可按客户设计） | 半波λ/4电压 |
CPLPC-025-633nm-M | 2.5mm | 直径20mm x66mm 晶体尺寸 4x2.5x60mm | 400V λ/2 at 633nm电光调制 |
CPLPC-05-633nm-M | 5mm | 直径25.4mm x36mm 晶体尺寸 5x5x30mm | 800V λ/2 at 633nm电光调制 |
CPMLPC-09-1064nm-Q | 9 mm | 直径30mm x 26mm | 2100V λ/4 at 1064nm 电光调Q |
CPMLPC-06-1064nm-Q | 6 mm | 直径25.4mm x 26mm | 1400V λ/4 at 1064nm 电光调Q |
CPMLPC-09-1064-Q-S | 9mm | 方型设计 18 x 17 x 20mm | 2100V λ/4 at 1064nm 电光调Q |
整体透过率 | >98% | 晶体透过畸变 | λ/6 @ 633nm |
插入损耗 | 2% | 晶体平面度 | λ/8 @ 633nm |
建议输出调Q能量 | 100 mJ | 消光比 | 300:1 - 500:1 |
电容 | 5pF | X面镀金铬电极 | |
损伤阈值 | 100 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （LN开关） 200 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （MgO:LN开关） | ||
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