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产品详情：
H-KTP晶体，采用水热法生长，克服了普通熔盐法KTP晶体最常见的缺陷——“灰迹（Gray Track）”现象，具有高抗激光损伤阈值和高抗灰迹的能力，能够长期稳定的应用于中高功率、高重复频率和高转换效率的激光系统。
H-KTP晶体有良好的电光效应，可以用来做电光调Q开关和电光调制开关（普克尔盒）， 我司可以提供H-KTP电光Q开关配套的水冷结构设计，因此可以应用于更高功率。快谱光电专业提供各种电光开关，接受特殊定制，定制设计周期为1 - 2周，应用于各种复杂环境，应用功率可高达几百瓦。
产品特性：
●高转换效率：60% - 70%
●高光学均匀性：Δn＜10-5
●低电导率：10-10/Ω•cm
●单畴结构
●低吸收率：＜2000ppm/cm @532mm
＜150ppm/cm @1064mm
H-KTP标准要求 | |
通光口径 | 2mm × 2mm to 8mm × 8mm |
zui大通光长度 | 15mm |
尺寸公差 | （宽±0.1mm）×（高±0.1mm）×（长±0.2mm） |
zui大平均能量密度 | 4kW/cm2 @532nm |
波前畸变 | ＜λ/8 @633nm |
通光面平面度 | ＜λ/8 @633nm |
通光面光洁度 | ＜10/5 (美军标MIL-13830A) |
通光面平行度 | ＜20秒 |
侧面垂直度 | ＜5分 |
常用膜 | AR/AR@1064&532nm |
增透膜反射率 | R< 0.2% @1064nm，R<0.5% @532 nm |
增透膜损伤阈值 | 600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz |
1064nm 光的透过率 | >98.5% |
应用范围：
●脉冲选择
●电光调制、电光调Q
产品优点：
●低插入损耗
●低半波电压
●不潮解
●宽的透光波段
●高抗激光损伤阈值
●无压电振铃效应
●自动温度补偿范围宽
产品规格：
标准规格（Z切DKDP晶体） | ||||
单晶DKDP开关 | ||||
序列号 | 通光孔径 | 外壳尺寸（可按客户设计） | 四分之波电压 | 电容 |
CPHPC-4 | 3.6 mm | Ф20×35mm | 1000V at 20ºC | <4pF |
CPDPC-8 | 7.6 mm | 加底座支架 | 2000V at 20ºC | <5pF |
消光比 | >150:1 | |||
光学性质
H-KTP电光开关在100kHz下工作：
服务热线：
