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产品特性：
磷酸二氘钾DKDP（KD*P）晶体光学损耗低，消光比高，电光性能好，应用广泛，通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体（DKDP）利用其纵向效应制成电光调Q开关，适合用于脉冲固体激光器中，通常应用于低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域，但是因为DKDP晶体电光应用的缺点是四分之波电压比较高，1KHz以上有振铃效应，快谱光电可提供DKDP电光调制器，DKDP单晶，双晶电光开关等产品。
因DKDP晶体本身的易潮解性以及机械性能较差，建议使用时需注意在以下操作环境下使用：温度操作范围：10~50度，温度变化每20分钟不宜超过5度，环境湿度：<40% ,尽量搭配湿度控制装置（干燥器皿及干燥剂）使用，不使用时请存储于干燥箱内。
注：由于DKDP普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关，在1064nm波长下，四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC，所需四分之一波长电压升高约50V。即，dV/dT约为+50V/ºC 。
应用范围：
●染料激光器800nm二、三倍频以及1064nm 二、三、四倍频
●电光调制、电光调Q
●高速摄像开关
KDP & DKDP电光晶体标准要求 | |
截面 | 5 x 5 ~ 50 x 50 mm² |
长度 | 2 mm ~ 40 mm |
超大尺寸 | 100x100mm2 |
含氘量 | >96% |
平面度 | λ/8 ~ λ/4 @ 633nm |
波前畸变 | λ/8 ~ λ/4 @ 633nm |
定向精度 | 0.2° |
透过畸变 | λ/8 @ 633nm |
光学平行 | < 20 arc sec. |
侧垂 | < 10 arc sec. |
光洁度 | 10-5 膜后20-10 or 40-20 |
倒边 | <0.2mm x 45° |
镀膜指标 | AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm) |
损伤阈值 | 350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz |
KDP与DKDP晶体属性参数 | ||
DKDP | KDP | |
化学式 | KH2PO4 | KD2PO4 |
透光波段 | 200-2150nm | 178-1580nm |
非线性系数 | d36=0.40pm/V | d36=0.44pm/V |
电光系数 | γ63=25pm/V γ41=8.8pm/V | γ63=10.3pm/V γ41=8.8pm/V |
吸收系数 | 0.005/cm | 0.07/cm |
半波电压 | 2.98KV 546nm | 7.65KV 546nm |
标准要求（DKDP电光调Q及电光调制器） | ||
截面 | 最大 | 直径50 mm² |
最小 | 直径5 mm2 | |
长度 | 最长 | 40 mm |
透过畸变 | λ/8 @ 633nm | |
光学平行 | < 20 arc sec. | |
侧垂 | < 5 arc sec. | |
光洁度 | 10-5 膜后20-10 | |
四分之一波电压 | 3.2kV at 1064nm, 20ºC | |
半波电压 | 6.4kV at 1064nm, 20ºC | |
输入/输出端 镀膜 | 300-1200nm可订制 | |
透过畸变 | λ/8 @ 633nm | |
整体透过率 | >98% | |
损伤阈值 | 350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz | |
标准规格（Z切DKDP晶体） | |||||
单晶DKDP开关 | |||||
序列号 | 通光孔径 | 外壳尺寸（可按客户设计） | 四分之波电压 | 电容 | |
CPDPC-15 | Dia.15 mm | Ф35×45mm | 3300V at 20ºC | <15pF | |
CPDPC-12 | Dia.12 mm | Ф32×40mm/Ф25.4×33mm | 3300V at 20ºC | <7pF | |
CPDPC-10 | Dia.10mm | Ф32×40mm/Ф25.4×33mm | 3300V at 20ºC | <6pF | |
CPDPC-08 | Dia.8mm | Ф20×35mm/Ф19×25mm | 3300V at 20ºC | <5pF | |
消光比 | >1500:1 | ||||
双晶DKDP开关 | |||||
序列号 | 通光孔径 | 外壳尺寸（可按客户设计） | 四分之波电压 | 电容 | |
CPDDPC-10 | Dia.10mm | Ф50×70mm | 1600V at 20ºC | <15pF | |
CPDDPC-08 | Dia.8mm | Ф50×70mm | 1600V at 20ºC | <7pF | |
消光比 | >500:1 | ||||
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