DKDP电光调制模块主要特点:
·重复频率0~400Hz
·晶压2.0~5.0KV
·脉冲前沿≤10ns
·EMI/RFI屏蔽封装
·TTL电平触发光耦隔离
·输入12±1VDC
·外置电位器控制输出高压
·高可靠性、全温度范围
应用范围:
1.KD*P 2.LINbO
3.其他光电晶体
(驱动Pockels cells)
应用范例:
a.中低重频LD泵浦调Q固体激光器
b.灯泵调Q固体激光器
模块参数:
类型 | 数值 | 单位 | 备注 |
输出电压 | 2.0~5.0 | kV | |
退压/升压时间 | ≤10 | ns | 负载为10PF |
延时抖动 | ≤2 | ns | |
恢复时间 | ≤100 | µs | 与负载相关 |
电源输入 | 12 | VDC | 功耗小于2.5W |
工作频率 | 0~400 | Hz | 支持单次工作 |
模块尺寸 | 68*37*15 | mm | 尺寸包括两侧安装孔位 |
工作温度 | -40~60 | ℃ | |
存储温度 | -40~85 | ℃ | |
模块重量 | 75 | g |
升压模块接线定义:
编号 | 定义 | 说明 |
1 | +12V | 输入电源+ |
2 | GND | 输入电源- |
3 | SG- | 触发脉冲信号-(上升沿触发) |
4 | SG+ | 触发脉冲信号+(上升沿触发) |
5 | FB1 | 接控制电位器一端 100KΩ |
6 | FB2 | 接控制电位器一端 100KΩ |
7 | EN- | 高压使能控制- |
8 | EN+ | 高压使能控制+ |
9 | GND | 输出地 |
10 | HVPULSE | 高压升压脉冲输出端 |
注意:
1.”SG+ SG-”与“EN+ EN-”控制信号输入模块内部为光耦隔离设置
2. EN+ EN-为高压使控制端(光耦输入端)。不接或接入低电平高压使能,接入高电平(3.3V/5.0V)高压输出为0.
3.SG+ SG-为外触发信号输入端(光耦输入端)(3.3V/5.0V TTL)。输入信号为上升沿触发,外触发信号与升压脉冲输出延时<75ns
4.请将“HVPULSE”与“GND”接入调Q晶体两端
6.用高压探头测试输出高压脉冲,请将高压探头的地与输出地“GND”连接,用高压探头测试“HVPULSE”端,输出高压脉冲为负高压脉冲。