产品详情:
H-KTP晶体,采用水热法生长,克服了普通熔盐法KTP晶体常见的缺陷——“灰迹(Gray Track)”现象,具有高抗激光损伤阈值和高抗灰迹的能力,能够长期稳定的应用于中高功率、高重复频率和高转换效率的激光系统。
H-KTP晶体有良好的电光效应,可以用来做电光调Q开关和电光调制开关(普克尔盒), 我司可以提供H-KTP电光Q开关配套的水冷结构设计,因此可以应用于更高功率。快谱光电专业提供各种电光开关,接受特殊定制,定制设计周期为1 - 2周,应用于各种复杂环境,应用功率可高达几百瓦。
产品特性:
●高转换效率:60% - 70%
●高光学均匀性:Δn<10-5
●低电导率:10-10/Ω•cm
●单畴结构
●低吸收率:<2000ppm/cm @532mm
<150ppm/cm @1064mm
H-KTP标准要求 | |
通光口径 | 2mm × 2mm to 8mm × 8mm |
zui大通光长度 | 15mm |
尺寸公差 | (宽±0.1mm)×(高±0.1mm)×(长±0.2mm) |
zui大平均能量密度 | 4kW/cm2 @532nm |
波前畸变 | <λ/8 @633nm |
通光面平面度 | <λ/8 @633nm |
通光面光洁度 | <10/5 (美军标MIL-13830A) |
通光面平行度 | <20秒 |
侧面垂直度 | <5分 |
常用膜 | AR/AR@1064&532nm |
增透膜反射率 | R< 0.2% @1064nm,R<0.5% @532 nm |
增透膜损伤阈值 | 600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz |
1064nm 光的透过率 | >98.5% |
应用范围:
●脉冲选择
●电光调制、电光调Q
产品优点:
●低插入损耗
●低半波电压
●不潮解
●宽的透光波段
●高抗激光损伤阈值
●无压电振铃效应
●自动温度补偿范围宽
产品规格:
标准规格(Z切DKDP晶体) | ||||
单晶DKDP开关 | ||||
序列号 | 通光孔径 | 外壳尺寸(可按客户设计) | 四分之波电压 | 电容 |
CPHPC-4 | 3.6 mm | Ф20×35mm | 1000V at 20ºC | <4pF |
CPDPC-8 | 7.6 mm | 加底座支架 | 2000V at 20ºC | <5pF |
消光比 | >150:1 |
光学性质
H-KTP电光开关在100kHz下工作: