BBO电光Q开关
(BBO普克尔盒)
相对于传统的KD*P电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP电光调制晶体,BBO晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性,有利于提高激光输出功率的稳定性。因此,由BBO晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率(1MHz),高功率(高达1000W)的电光调Q固体激光器,腔倒空调Q激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大激光系统中。在无需水冷的情况下,BBO电光Q开关可关断并承受高达150W的腔内振荡光功率(激光输出功率高达50W)。BBO晶体缺点是电光系数小,半波电压相对较高,因此可通过增长晶体长度,以及采用两块BBO晶体串联方式来减少半波电压和四分之波电压。快谱光电从应用角度特意推出单晶,双晶BBO电光Q开关,BBO电光调制器等常规产品,同时我们也将提供配套的调制、调Q、选单、再生放大驱动电源等相关产品。
产品特点及优势:
Ø 插拔式电极插针
Ø 通光孔径小于晶体横截面的设计
Ø 抗高功率抗高温材料壳体设计
Ø 特有的低应力装配技术
Ø 超高要求的晶体质量控制
Ø 超小的体积,超轻的质量,超紧凑的设计
产品规格型号:
BBO单晶开关规格参数 | ||||||
产品型号 | CPBPC-02502525-2035 | CPBPC- 02502525-151728S | CPBPC-030320-2035 | CPBPC-030325-2035 | CPBPC-040420-2035 | CPBPC-040425-2035 |
通光孔径, mm | 2.2 | 2.2 | 2.7 | 2.7 | 3.7 | 3.7 |
晶体尺寸, (W×H×L), mm³ | 2.5x2.5x25 | 2.5x2.5x25 | 3x3x20 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x25 |
外壳尺寸 (mm) | Dia.20x35 | 15x17.5x28 方形外壳 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 |
λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC | 2.4kV | 2.4kV | 3.6kV | 2.9kV | 4.8kV | 3.9kV |
电容, pF | 2.2 | 2.2 | 3 | 3 | 4 | 4 |
透过率(%) | >99% | |||||
消光比(Voltage-Free) |
1000:1 | |||||
使用波长 | 1030nm-1064nm | |||||
抗光伤 10ns 10Hz 1064nm |
600MW/cm2 |
(图3)
BBO双晶开关规格参数 | ||
产品型号 | CPDBPC-030320-2555 | CPDBPC-040420-2555 |
通光孔径, mm | 2.7 | 3.7 |
晶体尺寸, (W×H×L), mm³ | 3x3x20 一对 | 4x4x20 一对 |
外壳尺寸 (nm) | Dia.25x55 | Dia.25x55 |
λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC | 1.8kV | 2.4kV |
电容, pF | 6 | 7 |
透过率(%) | >99 | |
消光比 (Voltage-Free) | >500:1 | |
使用波长 | 1030nm-1064nm | |
抗光伤 10ns 10Hz 1064nm | 600MW/cm2 |
产品外观图: