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天津掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体和铌酸锂晶体

天津掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体和铌酸锂晶体

  • 所属分类:天津电光晶体
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  • 发布日期:2024-08-28
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

晶体特性:
  光学级掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体和铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解,半波电压低,缺点是消光比低,抗损伤阈值低。


掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体


应用范围:
  LN晶体应用波长范围宽广(420 – 5200nm),常被应用于Er:YAG,Ho:YAG,Tm:YAG激光器中,除了非线性应用,铌酸锂还作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。。我公司还可提供掺铁铌酸锂晶体(Fe:LiNbO3晶体)。



标准要求

消光比

300:1-700:1

平行

< 20 arc sec.

整体透过率

> 98%

波前畸变

λ/4 @ 633nm

平面度

 

λ/8 @ 633nm

光洁度

10-5 膜后 20-10

损伤阈值

 

100 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz(LN)

200 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz(MgO:LN)



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