武汉掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）晶体

所属分类：武汉激光晶体
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发布日期：2024-08-28

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产品概述
性能特点
技术参数

产品特性：

　　掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）晶体是一种性能优良的激光晶体，常应用于半导体泵浦尤其是中低功率的激光器。与Nd:YAG相比Nd:YVO4晶体的优势是对泵浦光有更高的吸收系数和更大的受激发射截面，能输出线性偏振光。半导体泵浦条件Nd:YVO4晶体与LBO, BBO, KTP等高非线性系数的晶体配合使用，能够达到更好的倍频转换效率。

掺钕钒酸钇晶体

　　应用范围：

　　可以应用于输出近红外、绿色、蓝色到紫外线（RGB激光器）等全固态激光器。而且Nd:YVO4晶体使半导体泵浦固态激光器更小型化，另外拓展了单纵模输出方面。Nd:YVO4激光器在加工、医学、激光印刷、数据存储等多个领域有着广泛的应用，此外，Nd:YVO4和Nd:YVO4键合晶体的应用领域还在不断拓宽。

　　优势：
　　●在808nm左右的泵浦带宽，约为Nd:YAG的5倍
　　● 在1064nm处的受激发射截面是Nd:YAG的3倍
　　● 光损伤阈低，高斜率效率
　　●双轴晶体，输出为线偏振光

标准要求
截面	~ 12mm2	长度	0.5 ~ 30mm
平面度	λ/8 @ 633nm	波前畸变	λ/8 @ 633nm
侧垂	<5 arc min.	受激辐射截面	25 x10-19cm2
平行	<10 arc sec.	常规波长应用	1064nm;1342nm;914nm
浓度范围	0.1% ~ 3%	浓度控制精度	±0.05%
定向	a-cut, c-cut	定向精度	<6 arc min.
光洁度	10/5 膜后 20/10	损伤阈值	800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz
镀膜 Coatings	AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%)；AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%) AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%) AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)

（表1）

标准规格
序列号	浓度	晶体尺寸	膜系
CPNDEO-03-0310	0.3%	3x3x10mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPNDEO-05-0415	0.5%	4x4x15mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPND-05-0430-W	0.5%	4x4x30 mm3	AR/AR @ 1064+(800-895)nm
CPND-03-0308	0.3%	3x3x8mm3	AR/AR @ 1064+808+1342nm
CPNDDBC-0.3-0310	0.3%	3x3x(2+8)mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPNDDBC-03-0320	0.3%	3x3x(2+16+2)mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
可提供浓度范围	0.1%~ 3%	浓度控制精度	±0.05%
定向：	A-cut C-cut	受激辐射截面	25x10-19cm2 1064nm
定向精度	<6分	损伤阈值	800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz
常规波长应用	1064nm; 1342nm; 914nm
我司可提供Nd:YVO4单端, 双端键合晶体以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG键合晶体等。