硅酸镓镧晶体(LGS晶体)是一种具有很高损伤阈值的光学非线性材料,电光系数高,电光性能优良,属于三方晶系结构,热膨胀系数较小,晶体的热膨胀各向异性较弱,高温的温度稳定性好(优于石英晶体),具有的两个独立电光系数与BBO晶体的系数相当,电光系数值在很大的温度范围内保持稳定,该晶体机械性能好、无解离性、不潮解、物理化学性质稳定,具有非常好的综合性能。LGS晶体具有宽的透过波段,从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。可应用于电光调制、电光调q。
LGS晶体具有很广泛的应用范围:除了压电效应、旋光效应外,其电光效应性能也非常优越高重复频率、大截面通光孔径、窄脉宽、高功率、高低温等情况LGS晶体电光Q开关都适用,我们应用LGS晶体的电光系数γ11来制作Q开关,选择其较大的纵横比来降低Q开关的半波电压,可应用于更高功率重复频率的全固态激光器的电光调Q,比如:可应用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固态激光器,较高频率可达300KHZ,较高输出可达715w,脉宽为46ns,连续输出可以达到近10w,光损伤阈值是LiNbO3晶体的9-10倍以上,1/2波电压和1/4波电压比同口径BBO开关低,且材料和装配成本低于同口径RTP开关,和DKDP开关比较,不潮解,温度稳定性好,可以应用在恶劣环境,是性能优异的可以满足不同应用领域的电光开关。
基本属性:
化学式 | La3Ga5SiQ14 |
晶格参数 | 三方晶体a=b=7.453A。,c=6.293A。 |
密度 | 5.75g/cm3 |
熔点 | 1470℃ |
透过波段 | 242-3200nm |
折射率 | 1.89 |
电光系数 | Y41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V |
电导率 | 1.7x1010Ω.cm |
潮解性 | 不潮解 |
热膨胀系数 | α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis); α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis) |
标准要求:
晶体尺寸 | 2 x 2 - 8 x 8 mm |
外壳尺寸 | Dia.20-35 mm |
消光比 | >500:1 |
透过畸变 | λ/6 @ 632.8nm |
整体透过率 | >98% @ 1064nm |
电极间隔离性 | <1 |
光洁度 | 20/10 (膜后40/20) |
电容 | 8 pF |
镀膜 | AR/AR @ 1064nm (R<0.2%) |
抗光伤 | 900MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm |
常规尺寸:
型号 | LG-EO-Q-30-65-1064-8 |
外壳尺寸 | Dia.30 x 65mm |
晶体尺寸 | 8 x 8 x 45 mm |
消光比 | >500:1 |
整体透过率 | >98% |
1/4波电压 | 3.2 kv |
透过畸变 | λ/6 |
波长 | 其他波长可订制 |
型号 | LG-EO-Q-30-65-1064-7 |
外壳尺寸 | Dia.30 x 65mm |
晶体尺寸 | 7 x 7 x 50 mm |
消光比 | >500:1 |
整体透过率 | >98% |
1/4波电压 | 3.2 kv |
透过畸变 | λ/6 |
波长 | 其他波长可订制 |