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当前标签：电光Q开关

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  BBO晶体电光开关

  分类：电光开关

  产品编号：1596525307

  浏览次数：3202

  关键词：电光开关电光Q开关电光q开关

  BBO晶体电光开关中心高仅有7.5mm四分之波电压：2400V特殊的方型紧凑结构设计，外壳尺寸：15x15x30mm，晶体尺寸2.5x2.5x25mm优点：安装方便，壳体自带安装底座，节省空间

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  电光驱动（PCD03）

  分类：电源、驱动

  产品编号：1575449801

  浏览次数：2167

  关键词：Q驱动电光q开关驱动电光q驱动

  电光Q驱主要特点：　　●重复频率0～10kHz　　●晶压2.0～6.0KV　　●脉冲前沿≤10ns　　●TTL电平触发光耦隔离　　●输入24±1VDC　　●电位器控制输出高压　　●高可靠性、全温度范围应用范围:　　1.BBO电光开关　　2

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  掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)电光Q开关

  分类：电光开关

  产品编号：1575449771

  浏览次数：3180

  关键词：LN晶体开关MgO:LN电光开关铌酸锂电光Q开关

  产品特性:　　光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低，其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（100Hz）。应用范围

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