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BBO电光Q开关资讯

2019-12-05

　　相对于传统的KD*P电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP电光调制晶体，BBO晶体具有更高的消光比、三倍频晶体厂家告诉您:

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PCDS-10KV-2KHz电光驱动盒资讯

2019-09-10

产品型号：PCDS-10KV-2K驱动盒参数zui小值zui大值输出电压(V)400010000重复频率(Hz)12000输出脉宽(us)120000上升/下降沿(ns)1215（表1）输出脉冲形式(双极性输出)：　　　设备描述：前面板　　

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RTP电光开关资讯

2019-12-05

　　RTP（RubidiumTitanylePhosphate–RbTiOPO4）是KTP晶体的同类型晶体，有更高的电光性能，可用于电光效应以及非线性效应方面。RTP晶体具有较高的损伤阈值（约为KTP的1.8倍）、电阻率高、重复频率高、

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掺钕钒酸钇晶体资讯

2019-12-05

产品特性：　　掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）晶体是一种性能优良的激光晶体，常应用于半导体泵浦尤其是中低功率的激光器。与Nd:YAG相比Nd:YVO4晶体的优势是对泵浦光有更高的吸收系数和更大的受激发射截面，能输出线性偏振光。半导体泵浦条件Nd

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掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)电光Q开关资讯

2019-12-05

产品特性:　　调Q开关厂家告诉您:光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低，其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（1

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